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SI9945AEY-T1-GE3

更新时间： 2024-11-06 15:51:15
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 242K
描述
Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 60V, 0.08ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOP-8

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SI9945AEY-T1-GE3 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
包装说明：SOP-8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.8
Is Samacsys：N配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.7 A
最大漏极电流 (ID)：3.7 A最大漏源导通电阻：0.08 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2.4 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：25 A子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI9945AEY-T1-GE3 数据手册

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Si9945AEY  
Vishay Siliconix  
Dual N-Channel 60-V (D-S), 175 °C MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
Definition  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)  
3.7  
0.080 at VGS = 10 V  
0.100 at VGS = 4.5 V  
•
•
•
TrenchFET® Power MOSFETs  
60  
3.4  
175 °C Maximum Junction Temperature  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
D
2
D
1
SO-8  
S
G
S
D
1
D
1
D
2
D
2
1
2
3
4
8
7
6
5
1
1
2
2
G
1
G
2
G
Top View  
S
1
S
2
Ordering Information:  
Si9945AEY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si9945AEY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
N-Channel MOSFET  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
60  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
20  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
3.7  
3.2  
25  
Continuous Drain Current (TJ = 175 °C)a  
ID  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
Continuous Source Current (Diode Conduction)a  
2
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
2.4  
1.7  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
W
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 175  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
Maximum  
Unit  
t ≤ 10 s  
62.5  
Junction-to-Ambienta  
RthJA  
°C/W  
Steady State  
93  
Notes:  
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
Document Number: 70758  
S09-1341-Rev. F, 13-Jul-09  
www.vishay.com  
1
12345678

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与SI9945AEY-T1-GE3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI9945BDY VISHAY

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 		Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
SI9945BDY UMW

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 		种类:N+N-Channel;漏源电压（Vdss）:60V;持续漏极电流（Id）（在25°
SI9945BDY-T1-GE3 VISHAY

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 		Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
SI9945DY TEMIC

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 		Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET
SI9945DY FAIRCHILD

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 		Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
SI9945DY VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
SI9945DY_NL FAIRCHILD

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