5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.83 | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
| 最小漏源击穿电压： | 25 V | 最大漏极电流 (ID)： | 3.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.15 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL AND P-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI9952DY-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Transistor |
|
| SI9952DY-T1 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, |
|
| SI9953DY | VISHAY |
获取价格 |
Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
|
| SI9953DYS62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 20V, 0.25ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| SI9954DY | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Metal-oxide Semiconductor FET |
|
| SI9955DY | TEMIC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 50V, 0.2ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
|
| SI9955DY | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
|
| SI9955DY_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 50V, 0.13ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| SI9955DY-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
|
| SI9955DYF011 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 50V, 0.13ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
摩尔斯微电子在美国约书亚树国家公园测试 Wi-Fi HaLow
贸泽上架Tallysman TW5386智能GNSS天线
SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
