Datasheet > SI9945DYL86Z

SI9945DYL86Z

更新时间： 2024-09-16 19:22:07

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	412K
描述
Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 60V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

SI9945DYL86Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.75
其他特性：	FAST SWITCHING	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (ID)：	3.3 A
最大漏源导通电阻：	0.1 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	10 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SI9945DYL86Z 数据手册

June 1999

Si9945DY*

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

General Description

Features

These N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are

produced using Fairchild Semiconductor's advance

process that has been especially tailored to minimize

on-state resistance and yet maintain superior switching

performance.

3.3 A, 60 V. R_DS(ON)= 0.100 Ω @ V_GS= 10 V

R_DS(ON)= 0.200 Ω @ V_GS= 4.5 V

Low gate charge.

Fast switching speed.

These devices are well suited for low voltage and

battery powered applications where low in-line power

loss and fast switching are required.

High power and current handling capability.

Applications

Battery switch

Load switch

Motor controls

'ꢃ

'ꢀ

*ꢃ

6ꢃ

*ꢀ

62ꢁꢂ

6ꢀ

$EVROXWHꢀ0D[LPXPꢀ5DWLQJVꢀꢀ

6\PERO

3DUDPHWHU

5DWLQJV

8QLWV

7KHUPDOꢀ&KDUDFWHULVWLFV

3DFNDJHꢀ2XWOLQHVꢀDQGꢀ2UGHULQJꢀ,QIRUPDWLRQ

'HYLFHꢀ0DUNLQJ

'HYLFH

5HHOꢀ6L]H

7DSHꢀ:LGWK

4XDQWLW\

ꢀꢀꢀꢀꢁꢀ

ꢂ

1999 Fairchild Semiconductor Corporation

Si9945DY Rev. A

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与SI9945DYL86Z相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SI9945DY-T1	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 60V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal
SI9947DY	TEMIC	获取价格	Dual P-Channel Enhancement-Mode MOSFET
SI9947DY-T1	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal
SI9948AEY	VISHAY	获取价格	Dual P-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET
SI9948AEY	UMW	获取价格	种类:P+P-Channel;漏源电压（Vdss）:-60V;持续漏极电流（Id）（在25
SI9948AEY-T1-E3	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
SI9948DY	TEMIC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 2-Element, P-Channel, Silicon,
SI9948DY	VISHAY	获取价格	Transistor,
SI9948DY-T1	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-o
SI9950DY	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 50V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Si