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SI9956DY

更新时间： 2024-09-14 06:11:39
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 90K
描述
Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

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SI9956DY 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SOP-8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.75
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.5 A最大漏源导通电阻：0.1 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
JESD-609代码：e0元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：14 A子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI9956DY 数据手册

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Si9956DY  
Vishay Siliconix  
Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
0.10 @ V = 10 V  
"3.5  
"2.0  
GS  
20  
0.20 @ V = 4.5 V  
GS  
D
1
D
1
D
2
D
2
SO-8  
S
1
D
1
D
1
D
2
D
2
1
2
3
4
8
7
6
5
G
1
G
2
G
1
S
2
G
2
Top View  
S
1
S
2
N-Channel MOSFET  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T= _2C5 UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
20  
"20  
"3.5  
"2.8  
"14  
1.7  
DS  
GS  
V
V
T
= 25_C  
= 70_C  
A
a
Continuous Drain Current (T = 150_C)  
I
J
D
T
A
A
Pulsed Drain Current  
I
DM  
a
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
I
S
T
= 25_C  
= 70_C  
2.0  
A
a
Maximum Power Dissipation  
P
D
W
T
A
1.3  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
–55 to 150  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
62.5  
_C/W  
Notes  
a. Surface Mounted on FR4 Board, t v 10 sec.  
For SPICE model information via the Worldwide Web: http://www.vishay.com/www/product/spice.htm  
Document Number: 70140  
S-00652—Rev. L, 27-Mar-00  
www.vishay.com S FaxBack 408-970-5600  
1
12345

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SI9956DY 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel,
SI9958DY-T1-E3 VISHAY

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