SI9948AEY

更新时间： 2024-09-15 22:50:19

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威世 - VISHAY		晶体晶体管
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4页	59K
描述
Dual P-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET

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SI9948AEY 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.58	Is Samacsys：	N
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	2.6 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2.4 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

SI9948AEY 数据手册

Si9948AEY

Vishay Siliconix

Dual P-Channel 60-V (D-S), 175_C MOSFET

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.17 @ V = –10 V

"2.6

"2.1

–60

0.26 @ V = –4.5 V

SO-8

Top View

P-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T= _2C5 UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

–60

"20

"2.6

"2.2

"15

–2

= 25_C

= 70_C

Continuous Drain Current (T = 175_C)

Pulsed Drain Current

Continuous Source Current (Diode Conduction)

= 25_C

= 70_C

2.4

Maximum Power Dissipation

1.7

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

–55 to 175

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typ

Max

Unit

t v 10 sec

62.5

Junction-to-Ambient

thJA

_C/W

Steady State

Notes

a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board

For SPICE model information via the Worldwide Web: http://www.vishay.com/www/product/spice.htm

Document Number: 70759

S-57253—Rev. B, 24-Feb-98

www.vishay.com S FaxBack 408-970-5600

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