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SI9955DY_NL

更新时间： 2024-09-16 19:58:47

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	418K
描述
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 50V, 0.13ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, SOIC-8

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SI9955DY_NL 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.82	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	50 V	最大漏极电流 (ID)：	3 A
最大漏源导通电阻：	0.13 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	10 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SI9955DY_NL 数据手册

June 1999

Si9955DY*

Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

General Description

Features

These N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are

produced using Fairchild Semiconductor's advance

process that has been especially tailored to minimize

on-state resistance and yet maintain superior switching

performance.

3.0 A, 50 V. R_DS(ON)= 0.130 Ω @ V_GS= 10 V

R_DS(ON)= 0.200 Ω @ V_GS= 4.5 V

Low gate charge.

Fast switching speed.

These devices are well suited for low voltage and

battery powered applications where low in-line power

loss and fast switching are required.

High power and current handling capability.

Applications

Battery switch

Load switch

Motor controls

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1999 Fairchild Semiconductor Corporation

Si9955DY Rev. A

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SI9955DY-E3	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI9955DYF011	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 50V, 0.13ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal
SI9955DYL86Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 50V, 0.13ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal
SI9955DY-T1	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 50V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
SI9956DY	NXP	获取价格	N-channel enhancement mode field-effect transistor
SI9956DY	VISHAY	获取价格	Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI9958DY	VISHAY	获取价格	Complementary 20-V (D-S) MOSFET
SI9958DY	TEMIC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel,
SI9958DY-E3	VISHAY	获取价格	Transistor
SI9958DY-T1	VISHAY	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel,