SI9956DY

更新时间： 2024-11-08 22:50:19

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
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描述
N-channel enhancement mode field-effect transistor

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SI9956DY 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.75	Is Samacsys：	N
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (ID)：	3.5 A	最大漏源导通电阻：	0.1 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	MS-012AA
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	14 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SI9956DY 数据手册

Si9956DY

N-channel enhancement mode ﬁeld-effect transistor

M3D315

Rev. 01 — 16 July 2001

Product data

1. Description

Dual N-channel enhancement mode ﬁeld-effect transistor in a plastic package using

TrenchMOS™¹technology.

Product availability:

Si9956DY in SOT96-1 (SO8).

2. Features

■ Low on-state resistance

■ Fast switching

■ TrenchMOS™ technology.

3. Applications

■ DC to DC convertors

■ DC motor control

■ Lithium-ion battery applications

■ Notebook PC

■ Portable equipment applications.

4. Pinning information

Table 1: Pinning - SOT96-1, simpliﬁed outline and symbol

Description

source 1 (s₁)

gate 1 (g₁)

Simpliﬁed outline

Symbol

source 2 (s₂)

gate 2 (g₂)

pin 1 index

03ab52

03ab58

5,6

7,8

drain 2 (d₂)

drain 1 (d₁)

SOT96-1 (SO8)

1. TrenchMOS is a trademark of Royal Philips Electronics.

12 3 4 5 6 7...13

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