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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G16 | 针数： | 16 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 7.87 | 配置： | COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 50 V | 最大漏极电流 (ID)： | 2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.3 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 100 pF | JESD-30 代码： | R-PDSO-G16 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 16 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL AND P-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 2.3 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI9951DY | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 16.5V, 0.6ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channe |
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| SI9952DY | VISHAY |
获取价格 |
Transistor, |
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| SI9952DY | TEMIC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, |
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| SI9952DY-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Transistor |
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| SI9952DY-T1 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, |
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| SI9953DY | VISHAY |
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Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
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| SI9953DYS62Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 20V, 0.25ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| SI9954DY | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| SI9955DY | TEMIC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 50V, 0.2ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
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| SI9955DY | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
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