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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.81 | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
| 最小漏源击穿电压： | 50 V | 最大漏极电流 (ID)： | 3 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.2 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 2 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI9956DY | NXP |
获取价格 |
N-channel enhancement mode field-effect transistor |
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| SI9956DY | VISHAY |
获取价格 |
Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
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| SI9958DY | VISHAY |
获取价格 |
Complementary 20-V (D-S) MOSFET |
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| SI9958DY | TEMIC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, |
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| SI9958DY-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Transistor |
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| SI9958DY-T1 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, |
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| SI9958DY-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, |
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| SI9959DY | TEMIC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 2-Element, N-Channel, Silicon, |
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| SI9959DY | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| SI9959DY-T1 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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