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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOT | 包装说明： | , |
| 针数： | 16 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 14 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 3 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI9955DY | TEMIC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 50V, 0.2ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
|
| SI9955DY | FAIRCHILD |
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Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
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| SI9955DY_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 50V, 0.13ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| SI9955DY-E3 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| SI9955DYF011 | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 50V, 0.13ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| SI9955DYL86Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 50V, 0.13ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| SI9955DY-T1 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 50V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| SI9956DY | NXP |
获取价格 |
N-channel enhancement mode field-effect transistor |
|
| SI9956DY | VISHAY |
获取价格 |
Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
|
| SI9958DY | VISHAY |
获取价格 |
Complementary 20-V (D-S) MOSFET |
|
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