SI9947DY

更新时间： 2024-09-16 04:04:39

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TEMIC		晶体小信号场效应晶体管光电二极管
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4页	78K
描述
Dual P-Channel Enhancement-Mode MOSFET

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SI9947DY 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.83	Is Samacsys：	N
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏极电流 (ID)：	3.5 A
最大漏源导通电阻：	0.19 Ω	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
元件数量：	2	端子数量：	8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SI9947DY 数据手册

Si9947DY

Dual P-Channel Enhancement-Mode MOSFET

Product Summary

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.10 @ V = –10 V

"3.5

"2.5

–20

0.19 @ V = –4.5 V

Recommended upgrade: Si4947DY or Si4953DY

Lower profile/smaller size—see LITE FOOTR equivalent: Si6955DQ

SO-8

Top View

2 2

PĆChannel MOSFET

Absolute Maximum Ratings (T_A= 25_C Unless Otherwise Noted)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

–20

"20

= 25_C

= 70_C

"3.5

"2.5

"10

Continuous Drain Current (T = 150_C)

Pulsed Drain Current

Continuous Source Current (Diode Conduction)

–1.7

= 25_C

= 70_C

2.0

Maximum Power Dissipation

1.3

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

–55 to 150

stg

Thermal Resistance Ratings

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

62.5

_C/W

Notes

a. Surface Mounted on FR4 Board, t v 10 sec.

Updates to this data sheet may be obtained via facsimile by calling Siliconix FaxBack, 1-408-970-5600. Please request FaxBack document #70134.

A SPICE Model data sheet is available for this product (FaxBack document #70636).

Siliconix

S-47958—Rev. F, 15-Apr-96

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