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SI9945DYD84Z

更新时间： 2024-11-06 19:22:07
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 412K
描述
Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 60V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8

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SI9945DYD84Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.75
其他特性：FAST SWITCHING配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：60 V最大漏极电流 (ID)：3.3 A
最大漏源导通电阻：0.1 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：10 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI9945DYD84Z 数据手册

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June 1999  
Si9945DY*  
Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel Enhancement Mode MOSFETs are  
produced using Fairchild Semiconductor's advance  
process that has been especially tailored to minimize  
on-state resistance and yet maintain superior switching  
performance.  
• 3.3 A, 60 V. RDS(ON) = 0.100 Ω @ VGS = 10 V  
RDS(ON) = 0.200 Ω @ VGS = 4.5 V  
• Low gate charge.  
• Fast switching speed.  
These devices are well suited for low voltage and  
battery powered applications where low in-line power  
loss and fast switching are required.  
• High power and current handling capability.  
Applications  
• Battery switch  
• Load switch  
• Motor controls  
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1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
Si9945DY Rev. A  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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