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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.76 | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3.3 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 2 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI9945DYF011 | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 60V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| SI9945DYL86Z | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 60V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| SI9945DY-T1 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 60V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| SI9947DY | TEMIC |
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Dual P-Channel Enhancement-Mode MOSFET |
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| SI9947DY-T1 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 20V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| SI9948AEY | VISHAY |
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Dual P-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET |
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| SI9948AEY | UMW |
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种类:P+P-Channel;漏源电压（Vdss）:-60V;持续漏极电流（Id）（在25 |
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| SI9948AEY-T1-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
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| SI9948DY | TEMIC |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 2-Element, P-Channel, Silicon, |
|
| SI9948DY | VISHAY |
获取价格 |
Transistor, |
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