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SI9945DY

更新时间: 2024-11-06 21:20:35
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 91K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

SI9945DY 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.85Is Samacsys:N
最大漏极电流 (Abs) (ID):3.3 AFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码:e0工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):2 W子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches:1

SI9945DY 数据手册

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种类:P+P-Channel;漏源电压(Vdss):-60V;持续漏极电流(Id)(在25