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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.38 | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 240 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.4 A |
| 最大漏源导通电阻： | 6 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 8 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 2 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI9945AEY | VISHAY |
获取价格 |
Dual N-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET |
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| SI9945AEY-T1 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
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| SI9945AEY-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 60V, 0.08ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| SI9945BDY | VISHAY |
获取价格 |
Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
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| SI9945BDY | UMW |
获取价格 |
种类:N+N-Channel;漏源电压（Vdss）:60V;持续漏极电流（Id）（在25° |
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| SI9945BDY-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
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| SI9945DY | TEMIC |
获取价格 |
Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET |
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| SI9945DY | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
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| SI9945DY | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
|
| SI9945DY_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 60V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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