5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.4 | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 240 V | 最大漏极电流 (ID)： | 0.4 A |
| 最大漏源导通电阻： | 6 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SI9944DY-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
|
| SI9944DY-T1 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 240V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| SI9945AEY | VISHAY |
获取价格 |
Dual N-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET |
|
| SI9945AEY-T1 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
|
| SI9945AEY-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 60V, 0.08ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| SI9945BDY | VISHAY |
获取价格 |
Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
|
| SI9945BDY | UMW |
获取价格 |
种类:N+N-Channel;漏源电压（Vdss）:60V;持续漏极电流（Id）（在25° |
|
| SI9945BDY-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
|
| SI9945DY | TEMIC |
获取价格 |
Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET |
|
| SI9945DY | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
