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SI9944DY

更新时间： 2024-11-06 19:50:27

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威世 - VISHAY		/
页数	文件大小	规格书
4页	37K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

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SI9944DY 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.24
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.4 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e0	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：	1

SI9944DY 数据手册

Si9944DY

Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET

Product Summary

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

6 @ V = 10 V

"0.4

"0.3

240

8 @ V = 4.5 V

2 2

SO-8

Top View

N-Channel MOSFET

Absolute Maximum Ratings (T_A= 25_C Unless Otherwise Noted)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

240

"20

"0.4

"0.3

"1.8

0.4

= 25_C

= 70_C

Continuous Drain Current (T = 150_C)

Pulsed Drain Current

Continuous Source Current (Diode Conduction)

= 25_C

= 70_C

Maximum Power Dissipation

1.3

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

–55 to 150

stg

Thermal Resistance Ratings

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

62.5

_C/W

Notes

a. Surface Mounted on FR4 Board, t v 10 sec.

Updates to this data sheet may be obtained via facsimile by calling Siliconix FaxBack, 1-408-970-5600. Please request FaxBack document #70132.

Siliconix

S-50052—Rev. E, 08-Nov-96

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