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SI9942DY

更新时间： 2024-09-15 22:50:19
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威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
6页 70K
描述
Complimentary 20-V (D-S) MOSFET

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SI9942DY 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.83最大漏极电流 (Abs) (ID)：3 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-609代码：e0
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2 W
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches：1

SI9942DY 数据手册

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Si9942DY  
Vishay Siliconix  
Complimentary 20-V (D-S) MOSFET  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
0.125 @ V = 10 V  
"3.0  
"2.0  
"2.5  
"2.0  
GS  
N-Channel  
P-Channel  
20  
0.250 @ V = 4.5 V  
GS  
0.200 @ V = –10 V  
GS  
–20  
0.350 @ V = –4.5 V  
GS  
D
1
D
1
S
2
SO-8  
S
G
S
D
1
D
1
D
2
D
2
1
2
3
4
8
7
6
5
1
1
2
2
G
2
G
1
G
Top View  
S
1
D
2
D
2
N-Channel MOSFET  
P-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T= _2C5 UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
N-Channel  
P-Channel  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
20  
–20  
"20  
"2.5  
"2.0  
"10  
–1.6  
DS  
GS  
V
V
"20  
"3.0  
"2.5  
"10  
1.6  
T
= 25_C  
= 70_C  
A
a
Continuous Drain Current (T = 150_C)  
I
J
D
T
A
A
Pulsed Drain Current  
I
DM  
a
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
I
S
T
= 25_C  
= 70_C  
2.0  
1.3  
A
a
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
A
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
J
–55 to 150  
_C  
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
N- or P-Channel  
Unit  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
62.5  
_C/W  
Notes  
a. Surface Mounted on FR4 Board, t v 10 sec.  
For SPICE model information via the Worldwide Web: http://www.vishay.com/www/product/spice.htm  
Document Number: 70130  
S-000652—Rev. L, 27-Mar-00  
www.vishay.com S FaxBack 408-970-5600  
1
123456

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SI9942DY 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI4532ADY-T1-E3 VISHAY

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SI4532CDY-T1-GE3 VISHAY

功能相似

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI9942DY-E3 VISHAY

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 		Transistor
SI9942DY-T1 VISHAY

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 		Complimentary 20-V (D-S) MOSFET
SI9942DY-T1-E3 VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Si
SI9943DY VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Si
SI9943DY-T1 VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Si
SI9944DY TEMIC

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SI9944DY VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
SI9944DY-E3 VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SI9944DY-T1 VISHAY

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.4A I(D), 240V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta
SI9945AEY VISHAY

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