是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | SOT |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.12 | 配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 30 V | 最大漏极电流 (ID): | 3.7 A |
最大漏源导通电阻: | 0.053 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 2 |
端子数量: | 8 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL AND P-CHANNEL |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | YES |
端子面层: | MATTE TIN | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
SI4532CDY-T1-GE3 | VISHAY |
类似代替 |
N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SI4532ADY-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, | |
SI4532CDY | VISHAY |
获取价格 |
N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET | |
SI4532CDY-T1-GE3 | VISHAY |
获取价格 |
N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET | |
SI4532DY | FAIRCHILD |
获取价格 |
Dual N- and P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor | |
SI4532DY | VISHAY |
获取价格 |
N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET | |
SI4532DY | ONSEMI |
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双 N 和 P 沟道增强型场效应晶体管 | |
SI4532DY_NL | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.9A I(D), 30V, 0.065ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channe | |
SI4532DYD84Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.9A I(D), 30V, 0.065ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channe | |
SI4532DY-E3 | VISHAY |
获取价格 |
Transistor | |
SI4532DYL86Z | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.9A I(D), 30V, 0.065ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channe |