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SI4539 PDF预览

SI4539

更新时间： 2024-02-26 17:30:10
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 240K
描述
Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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SI4539 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.82Is Samacsys：N
最大漏极电流 (Abs) (ID)：5.8 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：e0工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2 W子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches：1

SI4539 数据手册

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January 2001  
Si4539DY  
Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
These dual N- and P -Channel enhancement mode power  
field effect transistors are produced using Fairchild's  
proprietary, high cell density, DMOS technology. This very  
high density process is especially tailored to minimize  
on-state resistance and provide superior switching  
performance. These devices are particularly suited for low  
voltage applications such as notebook computer power  
management and other battery powered circuits where  
fast switching, low in-line power loss, and resistance to  
transients are needed.  
N-Channel 7.0 A,30 V, RDS(ON)=0.028 W @ VGS=10 V  
DS(ON)=0.040 W @ VGS= 4.5 V.  
P-Channel -5.0 A,-30 V,RDS(ON)=0.052 W @ VGS=-10 V  
DS(ON)=0.080W @ VGS=-4.5 V.  
R
R
High density cell design for extremely low RDS(ON)  
.
High power and current handling capability in a widely used  
surface mount package.  
Dual (N & P-Channel) MOSFET in surface mount package.  
SuperSOTTM-6  
SOT-23  
SuperSOTTM-8  
SO-8  
SOT-223  
SOIC-16  
D2  
5
6
7
8
4
D2  
D1  
3
2
1
D1  
G2  
S2  
G1  
pin 1  
SO-8  
S1  
Absolute Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol Parameter  
N-Channel  
P-Channel  
Units  
VDSS  
VGSS  
ID  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
30  
20  
7
-30  
-20  
-5  
V
V
A
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
(Note 1a)  
20  
-20  
Power Dissipation for Dual Operation  
Power Dissipation for Single Operation  
2
1.6  
W
PD  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
1
0.9  
TJ,TSTG  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to 150  
°C  
THERMAL CHARACTERISTICS  
RqJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1a)  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
78  
40  
°C/W  
°C/W  
(Note 1)  
Rq  
JC  
Si4539DY Rev. A  
© 2001 Fairchild Semiconductor International  
1234567...9

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI4539ADY VISHAY

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 		N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4539ADY_05 VISHAY

获取价格

 		N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4539ADY-E3 VISHAY

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 4.4A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel and P-Channel,
SI4539ADY-T1 VISHAY

获取价格

 		N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4539ADY-T1-E3 VISHAY

获取价格

 		TRANSISTOR 4400 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPL
SI4539DY FAIRCHILD

获取价格

 		Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
SI4539DY VISHAY

获取价格

 		Transistor,
SI4539DY_NL FAIRCHILD

获取价格

 		暂无描述
SI4539DYF011 FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel and P-Channel,
SI4539DYL86Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.028ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel,

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