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SI4544DY

更新时间: 2024-02-27 22:19:08
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威世 - VISHAY 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 52K
描述
N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

SI4544DY 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:,Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.85最大漏极电流 (Abs) (ID):6.5 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-609代码:e0
湿度敏感等级:1工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C极性/信道类型:N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):2.4 W子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches:1

SI4544DY 数据手册

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Si4544DY  
Vishay Siliconix  
N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
0.035 @ V = 10 V  
"6.5  
"5.4  
"5.7  
"4.0  
GS  
N-Channel  
P-Channel  
30  
0.050 @ V = 4.5 V  
GS  
0.045 @ V = –10 V  
GS  
–30  
0.090 @ V = –4.5 V  
GS  
S
2
SO-8  
G
G
2
S
G
S
D
D
D
D
1
2
3
4
8
7
6
5
1
1
2
2
D
G
1
Top View  
S
1
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
N-Channel  
P-Channel  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
30  
–30  
"20  
"5.7  
"4.0  
"20  
–1.7  
DS  
GS  
V
V
"20  
"6.5  
"5.4  
"20  
1.7  
T
= 25_C  
= 70_C  
A
a
Continuous Drain Current (T = 150_C)  
I
J
D
T
A
A
Pulsed Drain Current  
I
DM  
a
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
I
S
T
= 25_C  
= 70_C  
2.4  
1.5  
A
a
Maximum Power Dissipation  
P
W
D
T
A
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
J
–55 to 150  
_C  
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
N- or P-Channel  
Unit  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
52  
_C/W  
Notes  
a. Surface Mounted on FR4 Board, t v 10 sec.  
Document Number: 70768  
S-56944—Rev. C, 23-Nov-98  
www.vishay.com S FaxBack 408-970-5600  
1

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