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SI4542DYF011

更新时间： 2024-02-22 01:18:42
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 226K
描述
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 0.028ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8

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SI4542DYF011 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.71
Is Samacsys：N配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (ID)：6 A
最大漏源导通电阻：0.028 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SI4542DYF011 数据手册

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January 2001  
Si4542DY  
30V Complementary PowerTrench MOSFET  
General Description  
Features  
This complementary MOSFET device is produced using  
Fairchild’s advanced PowerTrench process that has  
been especially tailored to minimize the on-state  
resistance and yet maintain low gate charge for  
superior switching performance.  
•
Q1: N-Channel  
6 A, 30 V  
RDS(on) = 28 mΩ @ VGS = 10V  
RDS(on) = 35 mΩ @ VGS = 4.5V  
•
Q2: P-Channel  
Applications  
–6 A, –30 V  
R
DS(on) = 32 mΩ @ VGS = –10V  
DS(on) = 45 mΩ @ VGS = –4.5V  
• DC/DC converter  
R
• Power management  
Q2  
D2  
5
6
7
8
4
3
2
1
D2  
D1  
D1  
Q1  
G2  
SO-8  
S2  
G1  
S1  
Pin 1  
Absolute Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Q1  
Q2  
Units  
VDSS  
VGSS  
ID  
Drain-Source Voltage  
30  
±20  
6
–30  
±20  
–6  
V
V
A
Gate-Source Voltage  
Drain Current - Continuous  
- Pulsed  
(Note 1a)  
20  
–20  
PD  
Power Dissipation for Dual Operation  
Power Dissipation for Single Operation  
2
W
(Note 1a)  
(Note 1b)  
1.6  
1.2  
1
(Note 1c)  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +175  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
(Note 1a)  
(Note 1)  
78  
40  
RθJA  
°C/W  
°C/W  
RθJC  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
2500 units  
4542  
Si4542DY  
13”  
12mm  
Si4542DY Rev A  
2001 Fairchild Semiconductor International  
1234567

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI4542DYL86Z FAIRCHILD

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