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SI4539DYF011

更新时间： 2024-02-17 12:46:22

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	375K
描述
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.028ohm, 1-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8

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SI4539DYF011 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.7
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	7 A	最大漏源导通电阻：	0.028 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL AND P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	20 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SI4539DYF011 数据手册

January 2001

Si4539DY

Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description

Features

These dual N- and P -Channel enhancement mode power

field effect transistors are produced using Fairchild's

proprietary, high cell density, DMOS technology. This very

high density process is especially tailored to minimize

on-state resistance and provide superior switching

performance. These devices are particularly suited for low

voltage applications such as notebook computer power

management and other battery powered circuits where

fast switching, low in-line power loss, and resistance to

transients are needed.

N-Channel 7.0 A,30 V, R_DS(ON)=0.028 W @ V_GS=10 V

_DS(ON)=0.040 W @ V_GS= 4.5 V.

P-Channel -5.0 A,-30 V,R_DS(ON)=0.052 W @ V_GS=-10 V

_DS(ON)=0.080W @ V_GS=-4.5 V.

High density cell design for extremely low R_DS(ON)

High power and current handling capability in a widely used

surface mount package.

Dual (N & P-Channel) MOSFET in surface mount package.

SuperSOT^TM-6

SOT-23

SuperSOT^TM-8

SO-8

SOT-223

SOIC-16

pin 1

SO-8

Absolute Maximum Ratings T_A= 25°C unless otherwise noted

Symbol Parameter

N-Channel

P-Channel

Units

V_DSS

V_GSS

I_D

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

-30

-20

-5

Drain Current - Continuous

- Pulsed

(Note 1a)

-20

Power Dissipation for Dual Operation

Power Dissipation for Single Operation

1.6

P_D

(Note 1a)

(Note 1b)

(Note 1c)

0.9

T_J,T_STG

Operating and Storage Temperature Range

-55 to 150

°C

THERMAL CHARACTERISTICS

R_qJA

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (Note 1a)

Thermal Resistance, Junction-to-Case

°C/W

(Note 1)

R_q

Si4539DY Rev. A

12 3 4 5 6 7...12

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