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SI4532DYD84Z

更新时间： 2023-01-02 15:47:38
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 327K
描述
Power Field-Effect Transistor, 3.9A I(D), 30V, 0.065ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8

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SI4532DYD84Z 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.82
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：30 V
最大漏极电流 (ID)：3.9 A最大漏源导通电阻：0.065 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

SI4532DYD84Z 数据手册

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September 1999  
Si4532DY*  
Dual N- and P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
These dual N- and P-Channel enhancement mode power  
field effect transistors are produced using Fairchild's  
propretary, high cell density, DMOS technology. This very  
high density process is especially tailored to minimize  
on-state resistance and provide superior switching  
performance. These devices are particularly suited for  
low voltage applications such as notebook computer  
power management and other battery powered circuits  
where fast switching, low in-line power loss, and  
resistance to transients are needed.  
• N-Channel 3.9A, 30V.RDS(ON) = 0.065Ω @VGS = 10V  
RDS(ON) = 0.095Ω @VGS = 4.5V.  
• P-Channel -3.5A,-30V.RDS(ON)= 0.085Ω @VGS = -10V  
RDS(ON)= 0.190 Ω @VGS = -4.5V.  
• High density cell design for extremely low RDS(ON)  
.
• High power and current handling capability in a widely  
used surface mount package.  
• Dual (N & P-Channel) MOSFET in surface mount  
package.  
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$EVROXWHꢀ0D[LPXPꢀ5DWLQJVꢀꢀ  
°
7KHUPDOꢀ&KDUDFWHULVWLFV  
θ
°
°
θ
3DFNDJHꢀ0DUNLQJꢀDQGꢀ2UGHULQJꢀ,QIRUPDWLRQ  
1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
Si4532DY, Rev. C  
1234

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与SI4532DYD84Z相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI4532DY-E3 VISHAY

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 		Transistor
SI4532DYL86Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 3.9A I(D), 30V, 0.065ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channe
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