SI4532DY

更新时间： 2024-11-19 22:33:51

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管场效应晶体管开关脉冲光电二极管
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4页	323K
描述
Dual N- and P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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SI4532DY 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SOIC
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.31
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.9 A	最大漏极电流 (ID)：	3.9 A
最大漏源导通电阻：	0.065 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	20 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SI4532DY 数据手册

September 1999

Si4532DY*

Dual N- and P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description

Features

These dual N- and P-Channel enhancement mode power

field effect transistors are produced using Fairchild's

propretary, high cell density, DMOS technology. This very

high density process is especially tailored to minimize

on-state resistance and provide superior switching

performance. These devices are particularly suited for

low voltage applications such as notebook computer

power management and other battery powered circuits

where fast switching, low in-line power loss, and

resistance to transients are needed.

N-Channel 3.9A, 30V.R_DS(ON)= 0.065Ω @V_GS= 10V

R_DS(ON)= 0.095Ω @V_GS= 4.5V.

P-Channel -3.5A,-30V.R_DS(ON)= 0.085Ω @V_GS= -10V

R_DS(ON)= 0.190 Ω @V_GS= -4.5V.

High density cell design for extremely low R_DS(ON)

High power and current handling capability in a widely

used surface mount package.

Dual (N & P-Channel) MOSFET in surface mount

package.

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$EVROXWHꢀ0D[LPXPꢀ5DWLQJVꢀꢀ

7KHUPDOꢀ&KDUDFWHULVWLFV

3DFNDJHꢀ0DUNLQJꢀDQGꢀ2UGHULQJꢀ,QIRUPDWLRQ

1999 Fairchild Semiconductor Corporation

Si4532DY, Rev. C

12 3 4

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SI4532DY 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SI4532DY	ONSEMI	功能相似	双 N 和 P 沟道增强型场效应晶体管
SI4532DY_NL	FAIRCHILD	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 3.9A I(D), 30V, 0.065ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channe
ZXMC4559DN8TA	DIODES	功能相似	COMPLEMENTARY 60V ENHANCEMENT MODE MOSFET

与SI4532DY相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SI4532DY_NL	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3.9A I(D), 30V, 0.065ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channe
SI4532DYD84Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3.9A I(D), 30V, 0.065ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channe
SI4532DY-E3	VISHAY	获取价格	Transistor
SI4532DYL86Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3.9A I(D), 30V, 0.065ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channe
SI4532DYL99Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3.9A I(D), 30V, 0.065ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channe
SI4532DYS62Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3.9A I(D), 30V, 0.065ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channe
Si4534DY	VISHAY	获取价格	N- and P-Channel 60 V (D-S) MOSFET
SI4539	FAIRCHILD	获取价格	Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
SI4539ADY	VISHAY	获取价格	N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI4539ADY_05	VISHAY	获取价格	N- and P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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