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SI9934DY-T1

更新时间： 2024-09-15 20:03:35
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 87K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 5A I(D), 12V, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8

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SI9934DY-T1 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.72配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：12 V最大漏极电流 (ID)：5 A
最大漏源导通电阻：0.05 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e0
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：P-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI9934DY-T1 数据手册

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Si9934DY  
Vishay Siliconix  
Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
rDS(on) (W)  
ID (A)  
0.05 @ V = –4.5 V  
"5  
GS  
–12  
0.074 @ V = –2.5 V  
GS  
"4.1  
S
1
S
2
SO-8  
S
G
S
D
1
D
1
D
2
D
2
1
2
3
4
8
7
6
5
1
1
2
2
G
1
G
2
G
Top View  
D
1
D
1
D
2
D
2
P-Channel MOSFET  
P-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T= _2C5 UNLESS OTHERWISE NOTED)  
A
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
–12  
"8  
DS  
GS  
V
V
T
= 25_C  
= 70_C  
"5  
A
a
Continuous Drain Current (T = 150_C)  
I
J
D
T
A
"4.0  
"20  
–1.7  
A
Pulsed Drain Current  
I
DM  
a
Continuous Source Current (Diode Conduction)  
I
S
T
= 25_C  
= 70_C  
2.0  
A
a
Maximum Power Dissipation  
P
D
W
T
A
1.3  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
T , T  
–55 to 150  
_C  
J
stg  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Limit  
Unit  
a
Maximum Junction-to-Ambient  
R
thJA  
62.5  
_C/W  
Notes  
a. Surface Mounted on FR4 Board, t v 10 sec.  
For SPICE model information via the Worldwide Web: http://www.vishay.com/www/product/spice.htm  
Document Number: 70163  
S-49532—Rev. E, 02-Feb-98  
www.vishay.com S FaxBack 408-970-5600  
1
12345

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SI9934DY-T1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
SI9934DY VISHAY

功能相似

 Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI9936BDY VISHAY

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 		SPICE Device Model Si9936BDY
SI9936BDY_07 VISHAY

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 		Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI9936BDY-T1-GE3 VISHAY

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 		Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI9936DY NXP

获取价格

 		N-channel enhancement mode field-effect transistor
SI9936DY FAIRCHILD

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 		Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
SI9936DY_NL FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal
SI9936DYD84Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 30V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal
SI9936DYF011 FAIRCHILD

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