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SI9933BDY-E3

更新时间： 2024-11-26 22:09:51

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威世 - VISHAY		/
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5页	71K
描述
Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

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SI9933BDY-E3 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.81	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	3.6 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	2 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
Base Number Matches：	1

SI9933BDY-E3 数据手册

Si9933BDY

Vishay Siliconix

New Product

Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

r_DS(on)(W)

I_D(A)

0.06 @ V = −4.5 V

−4.7

−3.7

−20

0.10 @ V = −2.5

SO-8

Top View

Ordering Information: Si9933BDY—E3 (Lead Free)

Si9933BDY-T1—E3 (Lead Free with Tape and Reel)

P-Channel MOSFET

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25_C UNLESS OTHERWISE NOTED)

Parameter

Symbol

10 secs

Steady State

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

−20

"12

= 25_C

= 70_C

−3.6

−2.8

−4.7

−3.8

Continuous Drain Current (T = 150_C)

Pulsed Drain Current

−20

continuous Source Current (Diode Conduction)

−1.7

2.0

−0.9

1.1

= 25_C

= 70_C

Maximum Power Dissipation

1.3

0.7

Operating Junction and Storage Temperature Range

T , T

−55 to 150

stg

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

t v 10 sec

Steady State

62.5

110

Maximum Junction-to-Ambient

thJA

thJF

_C/W

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

Notes

a. Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.

For SPICE model information via the Worldwide Web: http://www.vishay.com/www/product/spice.htm

Document Number: 72748

S-40237—Rev. A, 16-Feb-04

www.vishay.com

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