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SI9926DYL86Z

更新时间： 2024-11-27 19:03:39

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	85K
描述
Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 20V, 0.03ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8

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SI9926DYL86Z 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.69
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (ID)：	6.5 A	最大漏源导通电阻：	0.03 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
元件数量：	2	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	20 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SI9926DYL86Z 数据手册

January 2001

Si9926DY

Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

Features

General Description

These N-Channel 2.5V specified MOSFETs use

Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench

process. It has been optimized for power management

applications with a wide range of gate drive voltage

(2.5V – 10V).

• 6.5 A, 20 V.

_DS(ON)= 0.030 Ω @ V_GS= 4.5 V

R_DS(ON)= 0.043 Ω @ V_GS= 2.5 V.

• Optimized for use in battery protection circuits

±10 V_GSSallows for wide operating voltage range

•

Applications

• Low gate charge

• Battery protection

• Load switch

• Power management

SO-8

Absolute Maximum Ratings T_A=25^oC unless otherwise noted

Symbol

V_DSS

Parameter

Drain-Source Voltage

Ratings

Units

V_GSS

I_D

Gate-Source Voltage

±10

Drain Current – Continuous

– Pulsed

(Note 1a)

6.5

P_D

Power Dissipation for Dual Operation

Power Dissipation for Single Operation

(Note 1a)

(Note 1b)

1.6

(Note 1c)

0.9

T_J, T_STG

Operating and Storage Junction Temperature Range

-55 to +150

°C

Thermal Characteristics

Thermal Resistance, Junction-to-Ambient

Thermal Resistance, Junction-to-Case

(Note 1a)

(Note 1)

R_θJA

°C/W

R_θJC

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Reel Size

Tape width

Quantity

9926

Si9926DY

13’’

12mm

2500 units

Si9926DY Rev A (W)

2001 Fairchild Semiconductor International

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SI9926DYS62Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 20V, 0.03ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met
SI9926DY-T1	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 0.03ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal
SI9926DY-T1-E3	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 0.03ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal
SI9928DY	TEMIC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 5A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Si
SI9928DY	VISHAY	获取价格	Complimentary 20-V (D-S) MOSFET
SI9933ADY	VISHAY	获取价格	Dual P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
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SI9933ADY_NL	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 20V, 0.075ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Me
SI9933ADYD84Z	FAIRCHILD	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 20V, 0.075ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Me
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