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SI9926BDY-T1-GE3

更新时间： 2024-09-14 15:51:15
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 111K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOP-8

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SI9926BDY-T1-GE3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.82
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：6.2 A最大漏极电流 (ID)：6.2 A
最大漏源导通电阻：0.02 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G8元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SI9926BDY-T1-GE3 数据手册

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Si9926BDY  
Vishay Siliconix  
Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
•
Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
VDS (V)  
RDS(on) (Ω)  
ID (A)  
8.2  
Definition  
0.020 at VGS = 4.5 V  
0.030 at VGS = 2.5 V  
•
•
TrenchFET® Power MOSFETS  
Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
20  
6.7  
SO-8  
D
1
D
2
S
1
D
1
D
1
D
2
D
2
1
2
3
4
8
7
6
5
G
1
S
2
G
G
2
1
G
2
Top View  
S
1
S
2
Ordering Information: Si9926BDY-T1-E3 (Lead (Pb)-free)  
Si9926BDY-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)  
N-Channel MOSFET  
N-Channel MOSFET  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T = 25 °C, unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
10 s  
Steady State  
Unit  
VDS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
20  
30  
V
VGS  
12  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
8.2  
6.5  
6.2  
4.9  
Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)a  
ID  
A
IDM  
IS  
Pulsed Drain Current  
Continuous Source Current (Diode Conduction)a  
1.7  
2.0  
1.3  
0.95  
1.14  
0.72  
TA = 25 °C  
TA = 70 °C  
Maximum Power Dissipationa  
PD  
W
TJ, Tstg  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
- 55 to 150  
°C  
THERMAL RESISTANCE RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Typical  
52  
Maximum  
62.5  
Unit  
t ≤ 10 s  
Maximum Junction-to-Ambienta  
RthJA  
Steady State  
Steady State  
90  
110  
°C/W  
RthJF  
Maximum Junction-to-Foot (Drain)  
32  
40  
Notes:  
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.  
Document Number: 72278  
S09-0870-Rev. C, 18-May-09  
www.vishay.com  
1
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SI9926CDY VISHAY

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 		Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI9926CDY-T1-E3 VISHAY

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 		Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI9926CDY-T1-GE3 VISHAY

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 		Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI9926DY FAIRCHILD

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 		Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
SI9926DY TYSEMI

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 		Drain-Source Voltage VDS 20 V Gate-Source Voltage VGS -10 V
SI9926DY VISHAY

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
SI9926DY KEXIN

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SI9926DYD84Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 20V, 0.03ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met
SI9926DYS62Z FAIRCHILD

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