是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.85 |
配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 20 V |
最大漏极电流 (ID): | 6.2 A | 最大漏源导通电阻: | 0.02 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 2 |
端子数量: | 8 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | YES |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SI9926BDY-T1-E3 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal | |
SI9926BDY-T1-GE3 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal | |
SI9926CDY | VISHAY |
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Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET | |
SI9926CDY-T1-E3 | VISHAY |
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Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET | |
SI9926CDY-T1-GE3 | VISHAY |
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Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET | |
SI9926DY | FAIRCHILD |
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Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET | |
SI9926DY | TYSEMI |
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Drain-Source Voltage VDS 20 V Gate-Source Voltage VGS -10 V | |
SI9926DY | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | |
SI9926DY | KEXIN |
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Dual N-Channel MOSFET | |
SI9926DYD84Z | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 20V, 0.03ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met |