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NTE347

更新时间： 2024-09-19 04:36:03

品牌	Logo	应用领域
NTE		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	75K
描述
Silicon NPN Transistor

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NTE347 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-CRPM-F4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	2.01	最大集电极电流 (IC)：	0.6 A
集电极-发射极最大电压：	18 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	5	最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	O-CRPM-F4	元件数量：	1
端子数量：	4	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	ROUND	封装形式：	POST/STUD MOUNT
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	15 W
最大功率耗散 (Abs)：	15 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	FLAT	端子位置：	RADIAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

NTE347 数据手册

NTE347

Silicon NPN Transistor

RF Power Output

P_O= 3W @ 175MHz

Description:

The NTE347 is designed for 13.6 volt, VHF large signal power amplifier applications required in mili-

tary and industrial equipment operating to 240MHz.

Features:

D Low lead inductance stripline package for easier design and increased broadband capability.

D Balanced Emitter Construction for increased Safe Operating Area. The NTE347 is designed

to withstand an Open or Shorted Load at rated Output Power.

D Specified 13.6 volt, 175MHz Characteristics−

Output Power = 3.0 Watts

Minimum Gain = 8.2dB

Efficiency = 50%

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Collector−Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18V

Collector−Base Voltage, V_CB. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36V

Emitter−Base Voltage, V_EB. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.0V

Continuous Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.6A

Total Device Dissipation (T_A= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15W

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 86mW/°C

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −65° to +200°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −65° to +200°C

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min Typ Max Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector−Emitter Breakdown Voltage

Emitter−Base Breakdown Voltage

Collector Cutoff Current

I = 200mA, I = 0

4.0

−

(BR)CEO

I = 200mA, I = 0

C B

(BR)CES

(BR)CBO

I = 1.0mA, I = 0

E C

= 15V, I = 0

1.0 mA

ON CHARACTERISTICS

DC Current Gain

I = 100mA, V = 5.0Vdc

5.0

−

DYNAMIC CHARACTERISTICS

Output Capacitance

= 15V, I = 0, f = 0.1 to 1.0 MHz

−

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