NTE373

更新时间： 2024-09-19 22:50:55

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NTE		晶体驱动器音频放大器小信号双极晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
2页	21K
描述
Silicon Complementary Transistors Audio Amplifier, Driver

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NTE373 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	2.13
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	1.5 A
集电极-发射极最大电压：	160 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JEDEC-95代码：	TO-126
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	20 W
最大功率耗散 (Abs)：	20 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	140 MHz	Base Number Matches：	1

NTE373 数据手册

NTE373 (NPN) & NTE374 (PNP)

Silicon Complementary Transistors

Audio Amplifier, Driver

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 180V

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 160V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

Collector Current, I_C

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.5A

Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3A

Collector Power Dissipation, P_D

T_A= +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1W

T_C= +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20W

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min Typ Max Unit

Collector–Base Breakdown Voltage

V_(BR)CBOI_C= 1mA, I_E= 0

180

160

–

Collector–Emitter Breakdown Voltage V_(BR)CEOI_C= 10mA, R_BE= ∞

Emitter–Base Breakdown Voltage

Collector Cutoff Current

DC Current Gain

V_(BR)EBOI_E= 1mA, I_C= 0

–

I_CBO

h_FE1

h_FE2

V_CB= 160V, I_E= 0

–

200

–

µA

V_CE= 5V, I_C= 150mA

V_CE= 5V, I_C= 500mA

–

Collector–Emitter Saturation Voltage

Base–Emitter Voltage

V_CE(sat)I_C= 500mA, I_B= 50mA

–

V_BE

f_T

V_CE= 5V, I_C= 150mA

V_CE= 5V, I_C= 500mA

V_CB= 10V, I_E= 0, f = 1MHz

–

1.5

–

Transistion Frequency

–

140

MHz

Collector Output Capacitance

C_ob

–

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