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Datasheet > 晶体管 > 射频双极晶体管> NTE350F
NTE350F PDF预览

NTE350F

更新时间： 2024-09-19 04:36:03
品牌 Logo 应用领域
NTE 晶体放大器射频双极晶体管功率放大器局域网
页数 文件大小 规格书
2页 75K
描述
Silicon NPN Transistor RF Power AMP

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NTE350F 技术参数

生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：1.96Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：2.5 A集电极-发射极最大电压：18 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：5
最高频带：VERY HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：O-CRFM-F4
元件数量：1端子数量：4
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状：ROUND
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：NPN
功耗环境最大值：31 W最大功率耗散 (Abs)：31 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：FLAT
端子位置：RADIAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTE350F 数据手册

 浏览型号NTE350F的Datasheet PDF文件第2页 
NTE350F  
Silicon NPN Transistor  
RF Power AMP  
Description:  
The NTE350F is designed for 12.5 Volt large−signal amplifier applications required in commercial and  
industrial equipment operating to 300MHz.  
Features:  
D Specified 12.5 Volt, 175MHz Characteristics:  
Output Power = 15 Watts  
Minimum Gain = 6.3dB  
Efficiency = 60%  
D Characterized with Series Equivalent Large−Signal Impedance Parameters  
Absolute Maximum Ratings:  
Collector−Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18V  
Collector−Base Voltage, VCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36V  
Emitter−Base Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V  
Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.5A  
Total Device Dissipation, PD  
TC = +25°C (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31W  
Derate above +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 177W/°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −65° to +200°C  
Note 1. Device is designed for RF operation. The total dissipation rating applies only when the  
devices are operated as RF amplifiers.  
Electrical Characteristics: (TC = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Min Typ Max Unit  
OFF Characteristics  
V
I = 20mA, I = 0  
18  
36  
4.0  
−
−
−
−
−
−
−
−
V
V
Collector−Emitter Breakdown Voltage  
(BR)CEO  
C
B
V
I = 10mA, V = 0  
C BE  
(BR)CES  
(BR)EBO  
Emitter−Base Breakdown Voltage  
V
I = 2.0mA, I = 0  
−
V
E
C
I
V
= 15V, V = 0, T = +55°C  
8.0  
0.5  
mA  
mA  
Collector Cutoff Current  
CES  
CE  
CB  
BE  
C
I
V
= 15V, I = 0  
−
CBO  
E
ON Characteristics  
DC Current Gain  
h
FE  
I = 0.5A, V = 5.0V  
5.0  
−
−
C
CE  
Dynamic Characteristics  
Output Capacitance  
Functional Test  
C
ob  
V
CB  
= 15V, I = 0, f = 0.1MHz  
−
70  
85  
pF  
E
Common−Emitter Amplifier Gain  
Collector Efficiency  
G
P
= 15W, V = 12.5V, f = 175MHz 6.3  
−
−
−
−
dB  
%
PE  
OUT  
CC  
η
P
OUT  
= 15W, V = 12.5V, f = 175MHz 60  
CC  
12

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NTE350F 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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完全替代

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