NTE363

更新时间： 2024-09-18 22:50:55

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NTE		晶体放大器射频双极晶体管功率放大器
页数	文件大小	规格书
2页	26K
描述
Silicon NPN Transistor RF Power Amp, PO = 4W

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NTE363 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-MRPM-F4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.8 A	基于收集器的最大容量：	25 pF
集电极-发射极最大电压：	16 V	配置：	SINGLE
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	O-MRPM-F4
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	POST/STUD MOUNT	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	15 W	最大功率耗散 (Abs)：	15 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	FLAT
端子位置：	RADIAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NTE363 数据手册

NTE363

Silicon NPN Transistor

RF Power Amp, P_O= 4W

Description:

The NTE363 is a 12.5V epitaxial silicon NPN planer transistor designed primarily for UHF commu-

nications.

Features:

D Designed for UHF Military and Commercial Equipment

D 4W (Min) with Greater than 8dB Gain

D Withstands Infinite VSWR Under Operating Conditions

D Low Inductance Stripline Package

D Emitter Stabilized

Absolute Maximum Ratings:

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36V

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V

Maximum Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800mA

Total Device Dissipation (T_C= +25°C), P_T. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15W

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +200°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C

Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11.6°C/W

Electrical Characteristics:

Parameter

Symbol

Test Conditions

I = 100mA, I = 0, Note 1

Min

Typ Max Unit

Collector–Emiter Breakdown Voltage

–

(BR)CEO

I = 100mA, I = 0, Note 1

C BE

(BR)CES

Emitter–Base Breakdown Voltage

Collector Cutoff Current

DC Current Gain

I = 2mA, I = 0

–

(BR)EBO

= 5V, I = 0

–

1.0

–

CBO

= 5V, I = 200mA

Note 1. Pulsed throught 25MH inductor.

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