NTE357

更新时间： 2024-09-19 04:36:03

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NTE		晶体射频双极晶体管放大器
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2页	74K
描述
Silicon NPN Transistor RF Power Output PO = 7W @ 175MHz

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NTE357 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-CRPM-F4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.65	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	35 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	5
最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	O-CRPM-F4
元件数量：	1	端子数量：	4
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	POST/STUD MOUNT	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	15 W	最大功率耗散 (Abs)：	15 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	FLAT
端子位置：	RADIAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NTE357 数据手册

NTE357

Silicon NPN Transistor

RF Power Output

P_O= 7W @ 175MHz

Description:

The NTE357 RF power transistor is designed primarily for wideband large−signal amplifier stages in

the 125−175MHz frequency range.

Features:

D Specified 28V, 175MHz Characteristics −

Output Power = 7.0 Watts

Minimum Gain = 8.4dB

Efficiency = 60%

D Characterized from 125 to 175MHz

D Includes Series Equivalent Impedances

Absolute Maximum Ratings: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Collector−Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35V

Collector−Base Voltage, V_CB. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 65V

Emitter−Base Voltage, V_EB. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.0V

Collector Current−Continuous, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0A

Total Device Dissipation (T_C= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 86mW/°C

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −65° to +200°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −65° to +200°C

Electrical Characteristics: (T_C= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min Typ Max Unit

OFF Characteristics

Collector−Emitter Breakdown V_(BR)CEOI_C= 200mAdc, I_B= 0,

Voltage (Note 1)

−

Vdc

Collector−Emitter Breakdown V_(BR)CESI_C= 200mAdc, V_BE= 0

Voltage

Note 1. Pulsed through 25mH inductor

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