NTE385

更新时间： 2024-09-09 22:50:55

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NTE		晶体开关放大器晶体管功率放大器
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2页	28K
描述
Silicon NPN Transistor Audio Power Amp, Switch

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NTE385 数据手册

NTE385

Silicon NPN Transistor

Audio Power Amp, Switch

Description:

The NTE385 is a silicon NPN transistor in a TO3 type package designed for high voltage, high speed,

power switching in inductive circuits where fall time is critical. It is particularly suited for line operated

switch mode applications.

Features:

D Fast Turn–Off Times

Absolute Maximum Ratings:

Collector–Emitter Voltage, V_CEO(sus). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V

Collector–Emitter Voltage (V_BE= –1.5V), V_CEX. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 850V

Emitter–Base Voltage, V_EB. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7V

Collector Current, I_C

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15A

Peak (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30A

Overload . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60A

Base Current, I_B

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5A

Peak (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20A

Total Power Dissipation (T_C= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 175W

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0W/°C

Total Power Dissipation (T_C= +100°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100W

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C

Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0°C/W

Lead Temperature (During Soldering, 1/8” from case, 5sec), T_L. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +275°C

Note 1. Pulse test: Pulse Width = 5ms, Duty Cycle ≤ 10%.

Electrical Characteristics: (T_C= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min Typ Max Unit

OFF Characteristics (Note 2)

Collector–Emitter Sustaining Voltage

Collector Cutoff Current

I = 200mA, I = 0, L = 25mH

400

–

CEO(sus)

= 850V, V

= 1.5V

0.2 mA

2.0 mA

0.5 mA

3.0 mA

0.1 mA

CEX

BE(off)

CEV

= 850V, V

= 1.5V, T = +125°C

–

= 850V, R = 10Ω

–

CER

= 850V, R = 10Ω, T = +100°C

–

Emitter Cutoff Current

= 5V, I = 0

–

EBO

Emitter–Base Breakdown Voltage

I = 50mA, –I = 0

–

(BR)EBO

Note 2. Pulse test: Pulse Width = 300µs, Duty Cycle ≤ 2%, V_cl= 300V, V_BE(off)= 5V, L_C= 180µH.

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