NTE385

更新时间： 2024-11-02 22:50:55

品牌	Logo	应用领域
NTE		晶体开关放大器晶体管功率放大器
页数	文件大小	规格书
2页	28K
描述
Silicon NPN Transistor Audio Power Amp, Switch

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

NTE385 数据手册

NTE385

Silicon NPN Transistor

Audio Power Amp, Switch

Description:

The NTE385 is a silicon NPN transistor in a TO3 type package designed for high voltage, high speed,

power switching in inductive circuits where fall time is critical. It is particularly suited for line operated

switch mode applications.

Features:

D Fast Turn–Off Times

Absolute Maximum Ratings:

Collector–Emitter Voltage, V_CEO(sus). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V

Collector–Emitter Voltage (V_BE= –1.5V), V_CEX. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 850V

Emitter–Base Voltage, V_EB. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7V

Collector Current, I_C

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15A

Peak (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30A

Overload . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60A

Base Current, I_B

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5A

Peak (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20A

Total Power Dissipation (T_C= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 175W

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0W/°C

Total Power Dissipation (T_C= +100°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100W

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C

Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0°C/W

Lead Temperature (During Soldering, 1/8” from case, 5sec), T_L. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +275°C

Note 1. Pulse test: Pulse Width = 5ms, Duty Cycle ≤ 10%.

Electrical Characteristics: (T_C= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min Typ Max Unit

OFF Characteristics (Note 2)

Collector–Emitter Sustaining Voltage

Collector Cutoff Current

I = 200mA, I = 0, L = 25mH

400

–

CEO(sus)

= 850V, V

= 1.5V

0.2 mA

2.0 mA

0.5 mA

3.0 mA

0.1 mA

CEX

BE(off)

CEV

= 850V, V

= 1.5V, T = +125°C

–

= 850V, R = 10Ω

–

CER

= 850V, R = 10Ω, T = +100°C

–

Emitter Cutoff Current

= 5V, I = 0

–

EBO

Emitter–Base Breakdown Voltage

I = 50mA, –I = 0

–

(BR)EBO

Note 2. Pulse test: Pulse Width = 300µs, Duty Cycle ≤ 2%, V_cl= 300V, V_BE(off)= 5V, L_C= 180µH.

中文翻译

下载PDF

与NTE385相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NTE386	NTE	获取价格	Silicon NPN Transistor Audio Power Amp, Switch
NTE387	NTE	获取价格	Silicon NPN Transistor Power Amp, Switch
NTE387MP	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PAIR \| NPN \| 150V V(BR)CEO \| 50A I(C) \| TO-3
NTE388	NTE	获取价格	Silicon Complementary Transistors General Purpose High Power Audio, Disk Head Positioner f
NTE3880	NTE	获取价格	Integrated Circuit NMOS, 8-Bit Microprocessor (MPU), 4MHz
NTE3881	NTE	获取价格	Integrated Circuit NMOS, Parallel I/O Interface (PIO), 4MHz
NTE3882	NTE	获取价格	Integrated Circuit NMOS, Counter Timer Control (CTC)
NTE389	NTE	获取价格	Silicon NPN Transistor Horizontal Output
NTE39	NTE	获取价格	Silicon PNP Transistor Line-Operated Series Pass/Switching Regulator (Compl to NTE157)
NTE390	NTE	获取价格	Silicon Complementary Transistors General Purpose

与NTE385相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

12
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

5
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

28
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

27

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NTE385

NTE385 数据手册

与NTE385相关器件

与NTE385相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NTE385

NTE385 数据手册

与NTE385相关器件

与NTE385相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？