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NTE383 PDF预览

NTE383

更新时间： 2024-11-03 04:36:03
品牌 Logo 应用领域
NTE 晶体小信号双极晶体管驱动放大器
页数 文件大小 规格书
2页 23K
描述
Silicon Complementary Transistors Audio Frequency Driver

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NTE383 技术参数

生命周期：Active包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：1.59
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：100 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：30JESD-30 代码：O-PBCY-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.9 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：140 MHzBase Number Matches：1

NTE383 数据手册

 浏览型号NTE383的Datasheet PDF文件第2页 
NTE382 (NPN) & NTE383 (PNP)  
Silicon Complementary Transistors  
Audio Frequency Driver  
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120V  
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100V  
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V  
Collector Current, IC  
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A  
Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A  
Collector Power Dissipation, PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 900mW  
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C  
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
Min Typ Max Unit  
Collector–Base Breakdown Voltage  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
Emitter–Base Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
V
I = 10µA, I = 0  
120  
100  
5
–
–
–
–
V
V
(BR)CBO  
(BR)CEO  
C
E
V
I = 1mA, R = ∞  
C BE  
V
I = 10µA, I = 0  
–
–
V
(BR)EBO  
E
C
I
V
= 100V, I = 0  
–
–
10  
320  
–
µA  
CBO  
CB  
CE  
CE  
E
DC Current Gain  
h
FE  
V
V
= 5V, I = 150mA  
160  
30  
–
–
C
= 5V, I = 500mA  
–
C
Collector–Emitter Saturation Voltage  
Base–Emitter Voltage  
V
I = 500mA, I = 50mA  
–
1.0  
1.5  
–
V
V
CE(sat)  
C
B
V
BE  
V
= 5V, I = 150mA  
–
–
CE  
CE  
CB  
C
Current Gain–Bandwidth Product  
Capacitance  
f
T
V
V
= 5V, I = 150mA  
–
140  
20  
MHz  
pF  
C
C
ob  
= 10V, I = 0, f = 1MHz  
–
–
E
12

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NTE383 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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 		Silicon NPN Transistor Horizontal Output

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