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NTE4002B

更新时间: 2024-11-28 21:53:51
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NTE 栅极半导体逻辑集成电路光电二极管
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1页 108K
描述
COMPLEMENTARY METAL OXIDE SILICON

NTE4002B 技术参数

生命周期:Active包装说明:DIP,
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8542.39.00.01
风险等级:5.76Is Samacsys:N
系列:4000/14000/40000JESD-30 代码:R-PDIP-T14
长度:15.24 mm逻辑集成电路类型:NOR GATE
功能数量:2输入次数:4
端子数量:14最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-55 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE传播延迟(tpd):300 ns
座面最大高度:5.08 mm最大供电电压 (Vsup):18 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:MILITARY端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
宽度:7.62 mmBase Number Matches:1

NTE4002B 数据手册

  

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