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NTE398

更新时间: 2024-11-25 22:50:55
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NTE 晶体晶体管功率双极晶体管电视开关局域网
页数 文件大小 规格书
2页 20K
描述
Silicon PNP Transistor TV Vertical Output (Compl to NTE375)

NTE398 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:SFM
包装说明:TO-220, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:1.69Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):2 A
集电极-发射极最大电压:150 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):60JEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:PNP功耗环境最大值:25 W
最大功率耗散 (Abs):25 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):5 MHzBase Number Matches:1

NTE398 数据手册

 浏览型号NTE398的Datasheet PDF文件第2页 
NTE398  
Silicon PNP Transistor  
TV Vertical Output  
(Compl to NTE375)  
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V  
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150V  
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V  
Collector Current, IC  
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A  
Pulsed (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3A  
Collector Dissipation (TC = +25°C), PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25W  
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C  
Note 1. Pulse Width 10ms, Duty Cycle 50%.  
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Collector Cutoff Current  
Emitter Cutoff Current  
DC Current Gain  
Symbol  
ICBO  
IEBO  
hFE  
Test Conditions  
VCB = 150V, IE = 0  
Min Typ Max Unit  
5
50  
50  
120  
µA  
µA  
VEB = 4V, IC = 0  
VCE = 10V, IC = 400mA, Note 2  
VCE = 10V, IC = 400mA, Note 2  
60  
Gain Bandwidth Product  
fT  
MHz  
V
Collector–Emitter Saturation Voltage VCE(sat) IC = 500A, IB = 50mA  
1.0  
Note 2. Pulse Width 350µs, Duty Cycle 25%/Pulsed.  

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