NTE384

更新时间： 2024-09-09 22:50:55

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NTE		晶体开关放大器晶体管功率双极晶体管局域网高电压电源
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2页	25K
描述
Silicon NPN Transistor High Voltage Power Amp/Switch

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NTE384 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	1.69	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	7 A
集电极-发射极最大电压：	350 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	12	JEDEC-95代码：	TO-66
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	45 W
最大功率耗散 (Abs)：	45 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	1 MHz	Base Number Matches：	1

NTE384 数据手册

NTE384

Silicon NPN Transistor

High Voltage Power Amp/Switch

Description:

The NTE384 is a multiple epitaxial silicon NPN power transistor in a TO66 type package utilizing a

multiple–emitter site structure. Multiple–epitaxial construction maximizes the volt–ampere character-

istic of the device and provides fast switching speeds. Multiple–emitter design ensures uniform cur-

rent flow throughout the structure, which produces a high I_S/band a large safe–operation–area.

The NTE384 is characterized for use in inverters operating directly from a rectified 110V power line.

The leakage current is specified at 450V; therefore the device can also be used in a series bridge

configuration on a 220V line. The V_EBOrating of 9V eases requirements on the drive transformer in

inverter applications.

Features:

D Maximum Safe–Area–of–Operation

D Low Saturation Voltages

D High Voltage Rating: V_CER(sus)= 375V

D High Dissipation Rating: P_T= 45W

Absolute Maximum Ratings:

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 375V

Collector–Emitter Sustaining Voltage

With Base Open, V_CEO(sus). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 350V

With Reverse Bias (V_BE) of –1.5V, V_CEX(sus). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 375V

With External Base–Emitter Resistance (R_BE) ≤ 50Ω, V_CER(sus). . . . . . . . . . . . . . . . . . . 375V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9V

Collector Current, I_C

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7A

Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A

Continuous Base Current, I_B. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4A

Transistor Dissipation (T_C≤ +25°C, V_CE≤ 40V), P_T. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45W

Operating Junction Temperature Range, T_opr. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C

Lead Temperature (During Soldering, 1/32 in. (0.8mm) from case, 10sec max), T_L. . . . . . . +230°C

Thermal Resistance, Junction to Case (V_CE= 20V, I_C= 2.25A), R_Θ. . . . . . . . . . . . . . . . . 3.9°C/W

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