NTE397

更新时间： 2024-11-02 22:50:55

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NTE		晶体开关放大器小信号双极晶体管功率放大器
页数	文件大小	规格书
2页	21K
描述
Silicon PNP Transistor Power Amplifier & High Speed Switch (Compl to NTE396)

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NTE397 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TO-39
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.74
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	300 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JEDEC-95代码：	TO-39	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	PNP
功耗环境最大值：	10 W	最大功率耗散 (Abs)：	10 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	15 MHz
Base Number Matches：	1

NTE397 数据手册

NTE397

Silicon PNP Transistor

Power Amplifier & High Speed Switch

(Compl to NTE396)

Absolute Maximum Ratings:

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 350V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V

Continuous Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A

Base Current, I_B. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500mA

Total Device Dissipation (T_C= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10W

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57mW/°C

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C

Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17.5°C/W

Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, R_thJA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150°C/W

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min Typ Max Unit

OFF Characteristics

Collector–Emitter Sustaining Voltage V_CEO(sus)I_C= 50mA, I_B= 0, Note 1

300

–

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff Current

ON Characteristics

I_CBO

I_EBO

V_CB= 280V, I_E= 0

V_EB= 6V, I_C= 0

µA

–

DC Current Gain

h_FE

I_C= 50mA, V_CE= 10V

–

120

Small–Signal Characteristics

Output Capacitance

C_obo

C_ibo

h_fe

V_CB= 10V, I_E= 0, f = 1MHz

V_CB= 5V, I_C= 0, f = 1MHz

–

Input Capacitance

Small–Signal Current Gain

Real Part of Input Impedance

I_C= 10mA, V_CE= 10V, f = 1MHz 25

Re(h_ie) V_CE= 10V, I_C= 5mA, f = 1MHz

–

300

Ω

Note 1. Pulse Test; Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle ≤ 2%.

CAUTION: The sustaining voltage must not be measured on a curve tracer.

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NTE397 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
NTE294	NTE	功能相似	Silicon Complementary Transistors Audio Amplifier and Driver
NTE159	NTE	功能相似	Silicon PNP Transistor Audio Amplifier, Switch (Compl to NTE123AP)
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NTE4000	NTE	获取价格	COMPLEMENTARY METAL OXIDE SILICON
NTE4001B	NTE	获取价格	COMPLEMENTARY METAL OXIDE SILICON
NTE4001BT	NTE	获取价格	NOR Gate,
NTE4002B	NTE	获取价格	COMPLEMENTARY METAL OXIDE SILICON
NTE4002BT	NTE	获取价格	NOR Gate, 4000/14000/40000 Series, 2-Func, 4-Input, CMOS, PDSO14, SOIC-14
NTE4006B	NTE	获取价格	COMPLEMENTARY METAL OXIDE SILICON

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