NTE388

更新时间： 2024-11-02 22:50:55

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NTE		晶体晶体管功率双极晶体管放大器局域网
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2页	26K
描述
Silicon Complementary Transistors General Purpose High Power Audio, Disk Head Positioner for Linear Applications

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NTE388 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	1.64
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	16 A	集电极-发射极最大电压：	250 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	5
JEDEC-95代码：	TO-3	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
元件数量：	1	端子数量：	2
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
功耗环境最大值：	250 W	最大功率耗散 (Abs)：	250 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	4 MHz
Base Number Matches：	1

NTE388 数据手册

NTE388 (NPN) & NTE68 (PNP)

Silicon Complementary Transistors

General Purpose High Power Audio,

Disk Head Positioner for Linear Applications

Description:

The NTE388 (NPN) and NTE68 (PNP) are complementary silicon power transistors in a TO3 type

package designed for high power audio, disk head positioners, and other linear applications.

Features:

D High Safe Operating Area: 2A @ 80V

D High DC Current Gain: h_FE= 15 Min @ I_C= 8A

Absolute Maximum Ratings:

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 250V

Collector–Emitter Voltage, V_CEX. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

Collector Current, I_C

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16A

Peak (Note 2) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30A

Continuous Base Current, I_B. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5A

Total Power Dissipation (T_C= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 250W

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.43W/°C

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C

Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.70°C/W

Note 1. Matched complementary pairs are available upon request (NTE68MCP). Matched comple-

mentary pairs have their gain specification (h_FE) matched to within 10% of each other.

Note 2. Pulse Test: Pulse Width = 5ms, Duty Cycle ≤ 10%.

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