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NTE386

更新时间: 2024-11-02 22:50:55
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NTE 晶体开关放大器晶体管功率双极晶体管功率放大器局域网
页数 文件大小 规格书
2页 24K
描述
Silicon NPN Transistor Audio Power Amp, Switch

NTE386 技术参数

生命周期:ActiveReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:1.67Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):20 A
集电极-发射极最大电压:500 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):10JEDEC-95代码:TO-3
JESD-30 代码:O-MBFM-P2元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:175 W
最大功率耗散 (Abs):175 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:PIN/PEG端子位置:BOTTOM
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

NTE386 数据手册

 浏览型号NTE386的Datasheet PDF文件第2页 
NTE386  
Silicon NPN Transistor  
Audio Power Amp, Switch  
Description:  
The NTE386 is a silicon NPN power transistor in a TO3 type package designed for high voltage, high–  
speed power switching in inductive circuit where fall time is critical. This device is particularly suited  
for line operated switchmode applications.  
Applications:  
D Switching Regulators  
D Inverters  
D Solenoid and Relay Drivers  
D Motor Controls  
D Deflection Circuits  
Absolute Maximum Ratings:  
Collector–Emitter Voltage, VCEO(sus) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V  
Collector–Emitter Voltage, VCEV . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V  
Emitter–Base Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V  
Collector Current, IC  
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20A  
Peak (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30A  
Base Current, IC  
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A  
Peak (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30A  
Total Power Dissipation (TC = +100°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100W  
Total Power Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 175W  
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0W/°C  
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C  
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0°C/W  
Maximum Lead Temperature (During Soldering, 1/8” from case, 5sec), TL . . . . . . . . . . . . . . +275°C  
Note 1. Pulse Test: Pulse Width = 5ms, Duty Cycle 10%.  

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