NTE123AP

更新时间： 2024-02-07 06:48:01

品牌	Logo	应用领域
NTE		晶体开关音频放大器小信号双极晶体管 PC
页数	文件大小	规格书
3页	27K
描述
Silicon NPN Transistor Audio Amplifier, Switch (Compl to NTE159)

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

NTE123AP 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

NTE123AP 数据手册

NTE123AP

Silicon NPN Transistor

Audio Amplifier, Switch

(Compl to NTE159)

Absolute Maximum Ratings:

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V

Collector–Base Voltage, V_CB. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60V

Emitter–Base Voltage, V_EB. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V

Continuous Collector Current, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600mA

Total Device Dissipation (T_A= 25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 350mW

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.8mW/°C

Total Device Dissipation (T_C= 25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0W

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8.0mW/°C

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C

Thermal Resistance, Junction to Case, R_θ. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 125°C/W

Thermal Resistance, Junction to Ambient, R_θ

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 357°C/W

Electrical Characteristics: (T_A= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

OFF Characteristics

Symbol

Test Conditions

Min Typ Max Unit

Collector–Emitter Breakdown Voltage

Collector–Base Breakdown Voltage

Emitter–Base Breakdown Voltage

Collector Cutoff Current

I = 1mA, I = 0, Note 1

–

(BR)CEO

(BR)CBO

(BR)EBO

I = 0.1mA, I = 0

C E

I = 0.1mA, I = 0

–

= 35V, V

= 0.4V

–

0.1

µA

CEV

EB(off)

Base Cutoff Current

= 35V, V

–

BEV

ON Characteristics (Note 1)

DC Current Gain

= 1V, I = 0.1mA

–

= 1V, I = 1mA

= 1V, I = 10mA

–

= 1V, I = 150mA

100

300

–

= 1V, I = 500mA

Note 1. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle ≤ 2%.

12 3

下载PDF

与NTE123AP相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
NTE123M	ETC	BJT	获取价格
NTE124	NTE	Silicon NPN Transistor High Voltage Power Output	获取价格
NTE1240	NTE	Integrated Circuit Audio Power Amp, 5.5W	获取价格
NTE1241	NTE	Integrated Circuit Head Coil/Meter Driver	获取价格
NTE1242	NTE	Integrated Circuit FM/AM IF Amp, AM Converter	获取价格
NTE1245	ETC	Consumer IC	获取价格