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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> NTE159
NTE159 PDF预览

NTE159

更新时间： 2024-10-31 22:54:23
品牌 Logo 应用领域
NTE 晶体开关音频放大器小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 27K
描述
Silicon PNP Transistor Audio Amplifier, Switch (Compl to NTE123AP)

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NTE159 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-92
包装说明：TO-92, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：1.53
Is Samacsys：N其他特性：LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：80 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：30
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-W3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.6 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHz最大关闭时间（toff）：400 ns
最大开启时间（吨）：100 nsBase Number Matches：1

NTE159 数据手册

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NTE159  
Silicon PNP Transistor  
Audio Amplifier, Switch  
(Compl to NTE123AP)  
Absolute Maximum Ratings:  
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V  
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 80V  
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V  
Continuous Collector Current, IC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.0A  
Total Device Dissipation (TA = 25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 625mW  
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5mW/°C  
Total Device Dissipation (TC = 25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.5W  
Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12mW/°C  
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C  
Thermal Resistance, Junction to Case, Rθ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83.3°C/W  
JC  
Thermal Resistance, Junction to Ambient, Rθ  
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200°C/W  
JA  
Note 1. Matched complementary pairs are available upon request (NTE159MCP). Matched com-  
plementary pairs have their gain specification (hFE) matched to within 10% of each other.  
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
OFF Characteristics  
Symbol  
Test Conditions  
Min Typ Max Unit  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
Collector–Base Breakdown Voltage  
Emitter–Base Breakdown Voltage  
Collector Cutoff Current  
V
I = 10mA, I = 0  
80  
80  
5
–
–
–
–
–
–
–
–
V
V
(BR)CEO  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
C
B
V
V
I = 10µA, I = 0  
C E  
I = 10µA, I = 0  
–
V
E
C
I
V
= 50V, I = 0  
–
50  
5
nA  
µA  
nA  
CBO  
CB  
CB  
E
V
= 50V, I = 0, T = +75°C  
–
E
A
Emitter Cutoff Current  
I
–
100  
EBO  
123

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NTE159 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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NTE16 NTE

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