NTE394

更新时间： 2024-09-09 22:50:55

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NTE		晶体开关放大器晶体管功率双极晶体管功率放大器高压局域网
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描述
Silicon NPN Transistor Power Amp, High Voltage Switch

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NTE394 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	1.67	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	3 A
集电极-发射极最大电压：	400 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	10	JEDEC-95代码：	TO-218
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	100 W
最大功率耗散 (Abs)：	100 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	2.5 MHz	Base Number Matches：	1

NTE394 数据手册

NTE394

Silicon NPN Transistor

Power Amp, High Voltage Switch

Description:

The NTE394 is a silicon multiepitaxial mesa NPN transistor in a TO218 type package designed for use

in high voltage, fast switching applications.

Absolute Maximum Ratings:

Collector–Emitter Voltage (V_BE= 0), V_CES. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V

Collector–Emitter Voltage (I_B= 0), V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V

Emitter–Base Voltage (I_C= 0), V_EB. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V

Collector Current, I_C

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3A

Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5A

Continuous Base Current, I_B. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600mA

Total Power Dissipation (T_C= +25°C), P_tot. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100W

Operating Junction Temperature, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C

Thermal Resistance, Junction–to–Case, R_thJC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.25°C/W

Electrical Characteristics: (T_C= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Conditions

= 300V, I = 0

Min

–

Typ Max Unit

Collector–Emitter Cutoff Current

–

CEO

= 500V, V = 0

–

CES

Emitter–Base Cutoff Current

Collector–Emitter Sustaining Voltage

Collector–Emitter Saturation Voltage

Base–Emitter ON Voltage

DC Current Gain

= 5V, I = 0

–

EBO

I = 30mA, I = 0, Note 1

400

–

CEO(sus)

CE(sat)

I = 3A, I = 0.6A, Note 1

–

1.5

–

BE(on)

I = 3A, V = 10V, Note 1

–

I = 0.3A, V = 10V

150

–

I = 3A, V = 10V

–

Note 1. Pulse Test: Pulse Width = 300µs, Duty Cycle = 1.5%.

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