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NTE394

更新时间: 2024-11-25 22:50:55
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NTE 晶体开关放大器晶体管功率双极晶体管功率放大器高压局域网
页数 文件大小 规格书
2页 23K
描述
Silicon NPN Transistor Power Amp, High Voltage Switch

NTE394 技术参数

生命周期:ActiveReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:1.67Is Samacsys:N
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):3 A
集电极-发射极最大电压:400 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):10JEDEC-95代码:TO-218
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:NPN功耗环境最大值:100 W
最大功率耗散 (Abs):100 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):2.5 MHzBase Number Matches:1

NTE394 数据手册

 浏览型号NTE394的Datasheet PDF文件第2页 
NTE394  
Silicon NPN Transistor  
Power Amp, High Voltage Switch  
Description:  
The NTE394 is a silicon multiepitaxial mesa NPN transistor in a TO218 type package designed for use  
in high voltage, fast switching applications.  
Absolute Maximum Ratings:  
Collector–Emitter Voltage (VBE = 0), VCES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V  
Collector–Emitter Voltage (IB = 0), VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V  
Emitter–Base Voltage (IC = 0), VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V  
Collector Current, IC  
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3A  
Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5A  
Continuous Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600mA  
Total Power Dissipation (TC = +25°C), Ptot . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100W  
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C  
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.25°C/W  
Electrical Characteristics: (TC = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test Conditions  
= 300V, I = 0  
Min  
Typ Max Unit  
Collector–Emitter Cutoff Current  
I
V
V
V
1
1
mA  
mA  
mA  
V
CEO  
CE  
CE  
EB  
B
I
= 500V, V = 0  
CES  
EB  
Emitter–Base Cutoff Current  
Collector–Emitter Sustaining Voltage  
Collector–Emitter Saturation Voltage  
Base–Emitter ON Voltage  
DC Current Gain  
I
= 5V, I = 0  
1
EBO  
C
V
I = 30mA, I = 0, Note 1  
400  
CEO(sus)  
C
B
V
CE(sat)  
I = 3A, I = 0.6A, Note 1  
1.5  
1.5  
V
C
B
V
BE(on)  
I = 3A, V = 10V, Note 1  
V
C
CE  
h
FE  
I = 0.3A, V = 10V  
30  
10  
150  
C
CE  
I = 3A, V = 10V  
C
CE  
Note 1. Pulse Test: Pulse Width = 300µs, Duty Cycle = 1.5%.  

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