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NTE399 PDF预览

NTE399

更新时间： 2024-11-02 22:50:55
品牌 Logo 应用领域
NTE 晶体视频放大器小信号双极晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 20K
描述
Silicon NPN Transistor High Voltage Video Amp (Compl to NTE2366)

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NTE399 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-W3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：2.15
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：300 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：100JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-W3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.9 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：BOTTOM晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：50 MHz
Base Number Matches：1

NTE399 数据手册

 浏览型号NTE399的Datasheet PDF文件第2页 
NTE399  
Silicon NPN Transistor  
High Voltage Video Amp  
(Compl to NTE2366)  
Absolute Maximum Ratings:  
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V  
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V  
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V  
Collector Current, IC  
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100mA  
Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300mA  
Collector Power Dissipation, PC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 900mW  
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +150°C  
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Collector Cutoff Current  
Symbol  
Test Conditions  
Min  
–
Typ Max Unit  
I
–
–
–
–
–
–
–
1.0  
1.0  
220  
–
VCB = 200V, IE = 0  
µA  
µA  
CBO  
Emitter Cutoff Current  
I
–
VEB = 6V, IC = 0  
EBO  
DC Current Gain  
h
FE  
100  
50  
–
VCE = 10V, IC = 5mA  
VCB = 30V, IC = 10mA  
VCB = 10V, f = 1MHz  
IC = 20mA, IB = 2mA  
IC = 20mA, IB = 2mA  
Current Gain–Bandwidth Product  
Output Capacitance  
f
T
MHz  
pF  
V
C
ob  
7.5  
0.6  
1.0  
Collector–Emitter Saturation Voltage  
Base–Emitter Saturation Voltage  
V
–
CE(sat)  
V
–
V
BE(sat)  
12

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NTE399 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2SC3468D ONSEMI

功能相似

 100mA, 300V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-226, SC-51, 3 PIN

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