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NTE37

更新时间： 2024-09-19 07:12:59
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NTE 晶体开关放大器晶体管功率双极晶体管功率放大器局域网
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2页 27K
描述
Silicon Complementary Transistors AF Power Amplifier, High Current Switch

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NTE37 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-3P
包装说明：TO-3P, 3 PIN针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：1.65Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：12 A
集电极-发射极最大电压：140 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：20JESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：PNP
功耗环境最大值：100 W最大功率耗散 (Abs)：100 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：15 MHz
Base Number Matches：1

NTE37 数据手册

 浏览型号NTE37的Datasheet PDF文件第2页 
NTE36 (NPN) & NTE37 (PNP)  
Silicon Complementary Transistors  
AF Power Amplifier, High Current Switch  
Description:  
The NTE36 (NPN) and NTE37 (PNP) are silicon complementary transistors in a TO3P type case de-  
signed for AF power amplifier and high current switching applications.  
Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 140V  
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 160V  
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6V  
Collector Current, IC  
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12A  
Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15A  
Total Power Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100W  
Operating Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C  
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +150°C  
Electrical Characteristics: (TA = +25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Collector Cutoff Current  
Emitter Cutoff Current  
DC Current Gain  
Symbol  
Test Conditions  
= 80V, I = 0  
Min  
–
Typ Max  
Unit  
mA  
mA  
I
V
CB  
V
BE  
V
CE  
V
CE  
V
CE  
V
CB  
–
–
0.1  
0.1  
200  
–
CEO  
E
I
= 4V, I = 0  
–
EBO  
C
h
h
= 5V, I = 1A  
60  
20  
–
–
FE1  
C
= 5V, I = 6A  
–
FE2  
C
Gain Bandwidth Product  
f
T
= 5V, I = 1A  
15  
–
MHz  
pF  
C
Output Capacitance  
NTE36  
C
ob  
= 10V, f = 1MHz  
–
–
210  
300  
–
–
NTE37  
Base–Emitter Voltage  
V
V
= 5V, I = 1A  
–
–
1.5  
V
V
BE  
CE  
C
Collector–Emitter Saturation Voltage  
V
I = 5A, I = 500mA  
C B  
CE(sat)  
NTE36  
NTE37  
–
–
0.6  
1.1  
2.5  
–
12

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NTE37 替代型号

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