NTE361

更新时间： 2024-09-26 22:50:55

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NTE		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管放大器
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描述
Silicon NPN Transistor RF Power Output PO = 2W @ 512MHz

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NTE361 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	2.16	Is Samacsys：	N
外壳连接：	EMITTER	最大集电极电流 (IC)：	0.4 A
基于收集器的最大容量：	15 pF	集电极-发射极最大电压：	16 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	20
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JEDEC-95代码：	TO-39
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	NPN	功耗环境最大值：	5 W
最大功率耗散 (Abs)：	5 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

NTE361 数据手册

NTE361

Silicon NPN Transistor

RF Power Output

P_O= 2W @ 512MHz

Description:

The NTE361 is a silicon NPN transistor designed for 12.5 Volt UHF large–signal amplifier applications

in industrial and commercial FM equipment operating to 512MHz.

Features:

D Specified 12.5 Volt, 470MHz Characteristics:

Output Power = 2.0 Watts

Minimum Gain = 8.0dB

Efficiency = 50%

D Characterized with Series Equivalent Large–Signal Impedance Parameters

D Grounded Emitter TO39 Package for High Gain and Excellent Heat Dissipation

D Replaces Medium–Power Stud Mounted Devices

Absolute Maximum Ratings:

Collector–Emitter Voltage, V_CEO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16V

Collector–Base Voltage, V_CBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36V

Emitter–Base Voltage, V_EBO. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4V

Collector Current–Continuous, I_C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400mA

Total Device Dissipation @ T_C= 25°C, P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8W

Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46mW/°C

Storage Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C

Electrical Characteristics: (T_C= +25°C unless otherwise specified)

Parameter

OFF Characteristics

Symbol

Test Conditions

Min Typ Max Unit

Collector–Emitter Breakdown Voltage

I = 50mA, I = 0

–

(BR)CEO

I = 50mA, V = 0

C BE

(BR)CES

Emitter–Base Breakdown Voltage

Collector Cutoff Current

I = 1mA, I = 0

E C

(BR)EBO

= 15V, I = 0

–

1.0 mA

CBO

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
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MRF227	ASI	功能相似	SILICON NPN RF POWER TRANSISTOR
MRF237	ASI	功能相似	SILICON NPN RF POWER TRANSISTOR

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