NTE38

更新时间： 2024-11-02 22:50:55

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NTE		晶体开关晶体管功率双极晶体管高压局域网
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3页	32K
描述
Silicon Complementary Transistors High Voltage, Medium Power Switch

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NTE38 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	1.66	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	2 A
集电极-发射极最大电压：	350 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	10	JEDEC-95代码：	TO-66
JESD-30 代码：	O-MBFM-P2	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	PNP	功耗环境最大值：	35 W
最大功率耗散 (Abs)：	35 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	PIN/PEG	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	20 MHz	Base Number Matches：	1

NTE38 数据手册

NTE38 (PNP) & NTE175 (NPN)

Silicon Complementary Transistors

High Voltage, Medium Power Switch

Description:

The NTE38 (PNP) and NTE175 (NPN) complementary silicon transistors are designed for high–

speed switching and linear amplifier applications for high–voltage operational amplifiers, switching

regulators, converters, inverters, deflection stages, and high fidelity amplifiers.

Features:

D Collector–Emitter Sustaining Voltage:

NTE38: V_CEO(sus)= 350V @ I_C= 200mA

NTE175: V_CEO(sus)= 300V @ I_C= 200mA

D Second Breakdown Collector Current:

NTE38

I_S/b= 875mA @ V_CE= 40V

NTE175 I_S/b= 350mA @ V_CE= 100V

D Usable DC Current Gain to 2.0Adc

Absolute Maximum Ratings:

Collector–Emitter Voltage, V_CEO

NTE38 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 350V

NTE175 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300V

Collector–Base Voltage, V_CB

NTE38 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V

NTE175 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500V

Emitter–Base Voltage, V_EB. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6Vdc

Collector Current, I_C

Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A

Peak (Note 1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5A

Base Current, I_B. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1A

Total Power Dissipation (T_C= +25°C), P_D. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35W

Derate above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.2W/°C

Operating Junction Temperature Range, T_J. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C

Storage Junction Temperature Range, T_stg. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +200°C

Thermal Resistance, Junction to Case, R_Θ_JC. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5°C/W

Note 1. Pulse Test (NTE175 Only): Pulse Width = 5ms, Duty Cycle ≤ 10%.

12 3

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